فرمت فایل : پاورپوینت تعداد اسلاید : 16 اسلاید 1 ترانزیستورهای power Mosfet:از عصرpmos بیش از15 سال نمی گذرد. امروزه P.mos ها در محدوده ی قدرت وسیعی از چند ده وات تا چند صد کیلو وات تولید می شود.امروزه طراحان با ترکیب دو تکنولوژی bipolarو mosfet دسته جدیدی از عناصر الکترونیک به نام MOS-bipoler را به وجود آورده اند که به آن خواهیم پرداخت.کاربردهای p.mos:منابع تغذیه بدون وقفه (ups) ،کنترل سرعت موتورهای AC,DC ،کنترل موتورهای پله ای و رله ها در رباتیک، وسایل پزشکی ،کوره های القایی و... 2 1- ساختمان فیزیکی p.mosساختمان فیزیکی p.mos دارای یک فرق اساسی با mosfet معمولی است.در mosfet معمولی گیت،سورس و کانال همگی تقریباً در یک سطح قرار گرفته اند و ترانزیستور یک ساختار سطحی (planar) دارد.اما در p.mos اجزا fet بصورت عمودی قرار گرفته اند و جریان به طور عمودی از کل حجم سیلیکن می‌گذرد.همچنین مزایایی نظیر استفاده موثر از سیلیکن بکار رفته،به حداقل رساندن سطح تراشه ،امپدانس حرارتی کم و سطح ولتاژ شکست زیاد را در بر دارد. 3 2- مقایسه خصوصیات p.mosfet با p.bipolar1-طریقه کنترل 2- سرعت کلید ...
